[123] 나노기술이란

[신충우 파일 123]

나노(nano)는 10억분의 1을 뜻하는 용어다. 반도체의 정교함을 말할 때 1나노는 10억분의1ｍ를 뜻한다.

테라(tera)는 기가의 1,024배에 해당한다. 보통 1바이트는 영문자 하나를, 2바이트는 한글이나 한자의 한 글자의 용량이다. 1,024바이트는 1킬로바이트, 1,024킬로바이트는 1메가바이트, 1,024메가바이트는 1기가바이트가 되는데, 1,024기가바이트가 바로 1테라바이트다.

플래시메모리는 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 기억장치를 말한다. 플래시메모리에는 낸드(NAND)와 노어(NOR) 두 가지 종류가 있다. 삼성전자가 주도하고 있는 낸드(데이터저장형) 메모리는 저장용량이 크고, 인텔, AMD가 주도하는 노어(코드저장형) 메모리는 처리속도가 빠르다는 장점이 있다. 낸드 플래시메모리는 MP3플레이어, 디지털카메라, 휴대용 저장장치에 사용되고, 노어 플래시메모리는 주로 휴대폰에 쓰인다.

P램(Phase-change RAM)은 상태 변화를 이용해 데이터를 저장하는 차세대 반도체를 뜻한다. P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점과, 전원이 끊어지면 저장된 자료가 소멸되지만 빠른 처리속도를 자랑하는 디램의 장점을 모두 가지고 있다. 2004년 8월 삼성전자가 세계 최초로 64메가바이트 P램을 개발했으며, 향후 지금의 플래시메모리를 대체할 것으로 기대된다.

시스템온칩(SoC)은 여러 가지 기능을 가진 시스템을 하나의 칩으로 구현한 기술집약적 반도체를 말한다. SoC 등장 이전의 무선 단말기에는 통신모뎀 기능을 하는 반도체와 컴퓨터 기능을 담당하는 반도체가 분리되어 있었으나 무선통신(모바일) 기능, 슬림 디자인이 중요해지면서 SoC가 핵심기술로 떠올랐다. 이 반도체를 구현하기 위한 필수적인 기술이 바로 나노기술이다.

“35년 플래시 메모리 반도체의 새 역사를 썼다.”

한국 반도체산업을 선도하는 삼성전자 황창규 사장은 11일 기자간담회에서 “세계 최초로 개발한 CTF 낸드 플래시 메모리 제품은 향후 수출 한국의 간판주자가 될 것”이라며 강한 자부심을 내비쳤다.

CTF 기술은 1971년 비휘발성 플래시 메모리가 등장한 이후 지금까지 사용된 '플로팅 게이트(Floating Gate)' 기술과 완벽한 단절을 선언하는 획기적인 기술로 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장하는 발상의 전환을 통해 개발할 수 있었다고 황 사장은 말했다.

황 사장은 낸드플래시 등을 무기로 2007년에 플래시 메모리 세계 1위기업으로 도약하겠다며 야심찬 청사진을 드러냈다. 그는 “ D램 시장의 강세로 올해 3분기 반도체 매출이 사상 최대 규모가 될 것”이라며 “ D램 시장은 향후 2009년까지 가격 강세가 지속될 것”으로 내다봤다.

이번에 발표한 CTF기술은 기존 반도체 제조기술의 한계를 극복했다는 점에서 향후 IT기술발달에서 혁명적 변화를 가져올 것으로 예상된다. 2010년이후에는 테라바이트 수준의 메모리개발이 가능해지고, 페타바이트도 가능한 교두보를 마련했기 때문이다. 인공지능 컴퓨터의 기술도 가능해졌다는 의미다.